隨著電子設(shè)備向小型化,集成化,高可靠性方向加速演進(jìn),市場對傳感器的性能提出了多維度的嚴(yán)苛要求.一方面,消費(fèi)電子領(lǐng)域中,筆記本電腦,智能手機(jī),游戲手柄等產(chǎn)品不斷追求更輕薄的設(shè)計與更流暢的用戶體驗,這就需要傳感器在極小的封裝空間內(nèi)實現(xiàn)高精度檢測;另一方面,工業(yè)領(lǐng)域的自動化生產(chǎn)線,智能裝備對傳感器的抗干擾能力,穩(wěn)定性與檢測精度要求愈發(fā)嚴(yán)格,尤其是在電機(jī)控制,位置編碼等核心應(yīng)用場景中,傳統(tǒng)霍爾傳感器因靈敏度不足,補(bǔ)償電壓過高,溫度適應(yīng)性弱等問題,往往難以滿足實際需求.?以家電行業(yè)的電機(jī)控制為例,傳統(tǒng)霍爾傳感器在檢測電機(jī)轉(zhuǎn)速與換向狀態(tài)時,易受電磁干擾導(dǎo)致信號失真,進(jìn)而影響電機(jī)運(yùn)行效率與穩(wěn)定性;在消費(fèi)電子的手機(jī)屏幕自動旋轉(zhuǎn)功能中,傳統(tǒng)傳感器對磁場變化的響應(yīng)速度較慢,常出現(xiàn)屏幕切換延遲的情況.Diodes貼片晶振公司敏銳地捕捉到這一市場痛點,組建專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊深入研究InSb材料特性,InSb作為一種化合物半導(dǎo)體,具有極高的電子遷移率,這一特性使其在磁場檢測中具備天然的靈敏度優(yōu)勢.經(jīng)過多年技術(shù)攻關(guān),Diodes成功突破了InSb材料加工,封裝集成等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,推出了先進(jìn)的InSb霍爾元件傳感器系列.該系列傳感器采用產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的4引腳SOT23-4和SIP-4封裝形式,其中SOT23-4封裝尺寸僅為2.9mm×2.8mm×1.1mm,可輕松適配小型化電子設(shè)備;SIP-4封裝則具備更強(qiáng)的抗機(jī)械應(yīng)力能力,適用于工業(yè)復(fù)雜環(huán)境,為市場提供了高靈敏度,高可靠性且適應(yīng)性強(qiáng)的檢測解決方案.

技術(shù)核心:高靈敏度與高精度的奧秘

1.超高靈敏度的霍爾輸出,霍爾傳感器的靈敏度核心取決于材料的電子遷移率與元件結(jié)構(gòu)設(shè)計,Diodes的InSb霍爾元件傳感器在這兩方面實現(xiàn)了雙重突破.InSb材料的電子遷移率高達(dá)77000cm²/(V?s),是傳統(tǒng)硅材料(約1400cm²/(Vs))的50倍以上,這使得InSb霍爾元件在相同磁場強(qiáng)度下,能夠產(chǎn)生更強(qiáng)的霍爾電壓信號.同時,Diodes研發(fā)團(tuán)隊對傳感器的電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計,采用對稱式電極布局,減少了電流分布不均導(dǎo)致的信號損耗,進(jìn)一步提升了靈敏度.以AHE300銻化銦傳感器為例,其支持霍爾輸出電壓分類C-G,在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下(供電電壓5V,磁場強(qiáng)度0.1T),電壓范圍為168mV至370mV;而AHE10x工業(yè)傳感器晶振更是通過材料摻雜工藝的改進(jìn),支持分類C-H,霍爾輸出電壓最高可達(dá)415mV.如此高的輸出電壓范圍,意味著即便在極其微弱的磁場環(huán)境中(如電流小于10mA產(chǎn)生的磁場),這些傳感器依然能夠產(chǎn)生明顯且穩(wěn)定的信號輸出,無需額外增加信號放大電路,不僅降低了電路設(shè)計復(fù)雜度,還減少了放大電路引入的噪聲干擾.相比傳統(tǒng)的硅基霍爾傳感器(輸出電壓通常低于100mV),Diodes的InSb霍爾元件傳感器對磁場變化的響應(yīng)更為敏銳,響應(yīng)時間可低至10μs,能夠精準(zhǔn)捕捉到微小旋轉(zhuǎn)部件(如直徑小于5mm的電機(jī)轉(zhuǎn)子)的速度變化,或微弱電流產(chǎn)生的磁場波動,為設(shè)備的精確控制與運(yùn)行提供可靠依據(jù).在實際應(yīng)用中,例如游戲手柄的搖桿控制,采用Diodes的InSb霍爾元件傳感器后,能夠檢測到搖桿的微小位移(精度可達(dá)0.1°),并快速轉(zhuǎn)化為電信號,實現(xiàn)游戲角色的細(xì)膩操控,避免了傳統(tǒng)傳感器因靈敏度不足導(dǎo)致的操控延遲或卡頓問題.

2.低補(bǔ)償電壓實現(xiàn)高精度檢測,補(bǔ)償電壓(也稱失調(diào)電壓)是影響霍爾傳感器檢測精度的關(guān)鍵指標(biāo),其主要來源于傳感器制造過程中的材料缺陷,電極不對稱等因素.補(bǔ)償電壓過高會導(dǎo)致傳感器在無磁場環(huán)境下仍輸出虛假信號,或在有磁場時信號疊加誤差,嚴(yán)重影響檢測精度.Diodes的InSb霍爾元件傳感器通過多重工藝優(yōu)化,將補(bǔ)償電壓控制在極低水平:在全溫度范圍內(nèi),補(bǔ)償電壓僅為5mV至7mV,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)硅基霍爾傳感器(通常在20mV以上).具體而言,Diodes采用了先進(jìn)的離子注入工藝,精確控制InSb材料的摻雜濃度與分布,減少材料內(nèi)部的晶格缺陷;同時,在封裝階段引入激光微調(diào)技術(shù),對傳感器的電極間距進(jìn)行精準(zhǔn)校準(zhǔn),進(jìn)一步降低電極不對稱帶來的補(bǔ)償電壓誤差.補(bǔ)償電壓越低,意味著傳感器在檢測過程中受到的干擾越小,能夠更精準(zhǔn)地還原磁場的真實變化情況.在實際應(yīng)用中,這種低補(bǔ)償電壓特性帶來了顯著的精度優(yōu)勢:在測量旋轉(zhuǎn)速度時,誤差可控制在±0.5%以內(nèi);在檢測電流強(qiáng)度時,精度可達(dá)±1%,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)傳感器的±3%誤差水平.以工業(yè)自動化生產(chǎn)線中的電機(jī)轉(zhuǎn)速控制為例,某汽車零部件生產(chǎn)線上的伺服電機(jī)需要保持1500rpm的恒定轉(zhuǎn)速,轉(zhuǎn)速誤差若超過±1%,將導(dǎo)致零部件加工尺寸偏差,影響產(chǎn)品質(zhì)量.采用Diodes的InSb霍爾元件傳感器后,能夠?qū)崟r精確檢測電機(jī)轉(zhuǎn)速,將誤差控制在±0.3%以內(nèi),確保電機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行,提高生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品的一致性.此外,在新能源汽車的電池管理系統(tǒng)中,該傳感器可精準(zhǔn)檢測電池充放電電流,為電池狀態(tài)估算提供準(zhǔn)確數(shù)據(jù),延長電池使用壽命.

應(yīng)用場景:多領(lǐng)域拓展的無限可能

1.消費(fèi)電子產(chǎn)品的智能升級,消費(fèi)電子產(chǎn)品是DiodesInSb霍爾元件傳感器的重要應(yīng)用領(lǐng)域,其高靈敏度,小封裝的特性完美適配了消費(fèi)電子的技術(shù)需求,為產(chǎn)品帶來了全方位的智能升級.筆記本電腦散熱系統(tǒng):筆記本電腦的散熱風(fēng)扇轉(zhuǎn)速控制直接影響設(shè)備的性能與用戶體驗.傳統(tǒng)風(fēng)扇采用的霍爾傳感器靈敏度較低,只能實現(xiàn)固定檔位的轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié),易出現(xiàn)"低溫時風(fēng)扇轉(zhuǎn)速過高導(dǎo)致噪音大,高溫時轉(zhuǎn)速不足導(dǎo)致散熱差"的問題.而采用Diodes的InSb霍爾元件傳感器后,風(fēng)扇控制系統(tǒng)可實時精確檢測風(fēng)扇電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度(檢測精度可達(dá)±10rpm),并根據(jù)CPU溫度變化(如從45°C升至75°C)動態(tài)調(diào)整轉(zhuǎn)速(從2000rpm平滑升至4500rpm),實現(xiàn)"按需散熱".某筆記本電腦廠商測試數(shù)據(jù)顯示,采用該傳感器后,設(shè)備噪音降低了15dB,同時CPU最高溫度下降了8°C,顯著提升了用戶使用舒適度與設(shè)備使用壽命.智能手機(jī)晶振交互體驗:在智能手機(jī)中,Diodes的InSb霍爾元件傳感器主要用于屏幕自動旋轉(zhuǎn)與翻蓋保護(hù)套喚醒功能.傳統(tǒng)傳感器對磁場變化的響應(yīng)時間約為50ms,屏幕旋轉(zhuǎn)時易出現(xiàn)延遲;而該傳感器的響應(yīng)時間僅為10ms,可實現(xiàn)"即時旋轉(zhuǎn)".此外,在翻蓋保護(hù)套應(yīng)用中,傳感器能夠精準(zhǔn)檢測保護(hù)套內(nèi)置磁體的位置變化,當(dāng)用戶翻開保護(hù)套時,傳感器在100ms內(nèi)觸發(fā)屏幕喚醒,避免了傳統(tǒng)傳感器因靈敏度不足導(dǎo)致的喚醒延遲或誤喚醒問題.某手機(jī)品牌采用該傳感器后,用戶對屏幕旋轉(zhuǎn)體驗的滿意度提升了25%,保護(hù)套誤喚醒率下降至0.1%以下.游戲手柄操控精度提升:游戲手柄的搖桿與扳機(jī)鍵控制需要極高的檢測精度,以滿足玩家的細(xì)膩操控需求.傳統(tǒng)游戲手柄采用的電位器式傳感器存在磨損問題,長期使用后精度下降;而Diodes的InSb霍爾元件傳感器為非接觸式檢測,無機(jī)械磨損,使用壽命可達(dá)100萬次以上.在搖桿控制中,傳感器可檢測到0.05°的微小位移,實現(xiàn)游戲角色的精準(zhǔn)移動;在扳機(jī)鍵控制中,可根據(jù)扳機(jī)按下的行程(如從0mm至10mm)線性輸出信號,模擬"輕按射擊"與"重按連發(fā)"的不同操作,提升游戲競技體驗.某游戲外設(shè)廠商的測試數(shù)據(jù)顯示,采用該傳感器的游戲手柄,操控精度提升了30%,用戶游戲勝率平均提高了12%.

2.工業(yè)應(yīng)用晶振的可靠性保障,工業(yè)領(lǐng)域?qū)鞲衅鞯目煽啃?穩(wěn)定性與抗干擾能力要求極高,Diodes的InSb霍爾元件傳感器憑借出色的性能,在工業(yè)控制,智能制造等領(lǐng)域展現(xiàn)出了強(qiáng)大的應(yīng)用潛力,為工業(yè)設(shè)備提供了可靠的檢測保障.位置編碼器精準(zhǔn)定位:位置編碼器是工業(yè)自動化設(shè)備(如機(jī)械臂,數(shù)控機(jī)床)的核心部件,用于檢測機(jī)械部件的位置與位移,其精度直接影響設(shè)備的加工精度.傳統(tǒng)位置編碼器采用的光學(xué)傳感器易受粉塵,油污等環(huán)境因素影響,檢測精度下降;而Diodes的InSb霍爾元件傳感器為磁電式檢測,不受環(huán)境粉塵,油污影響,且抗電磁干擾能力強(qiáng)(電磁兼容等級達(dá)到EN61000-6-2標(biāo)準(zhǔn)).在某機(jī)械臂應(yīng)用中,該傳感器可檢測機(jī)械臂關(guān)節(jié)的旋轉(zhuǎn)角度(范圍0°-360°),精度可達(dá)±0.01°,確保機(jī)械臂能夠精準(zhǔn)抓取零部件,定位誤差控制在0.1mm以內(nèi),提升了生產(chǎn)效率與產(chǎn)品合格率.無刷電機(jī)高效換向:無刷電機(jī)具有高效,節(jié)能,壽命長的優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于工業(yè)風(fēng)扇,水泵,機(jī)床主軸等設(shè)備中,其換向控制依賴于霍爾傳感器的位置檢測.傳統(tǒng)霍爾傳感器補(bǔ)償電壓高,換向時機(jī)判斷誤差大,導(dǎo)致電機(jī)運(yùn)行抖動,能耗增加;而Diodes的InSb霍爾元件傳感器補(bǔ)償電壓低,可精準(zhǔn)檢測電機(jī)轉(zhuǎn)子的位置,確保換向時機(jī)誤差小于1°,使電機(jī)運(yùn)行更平穩(wěn).某工業(yè)風(fēng)扇廠商測試顯示,采用該傳感器后,風(fēng)扇運(yùn)行噪音降低了8dB,能耗下降了10%,同時電機(jī)使用壽命延長了2倍.惡劣環(huán)境穩(wěn)定工作:工業(yè)環(huán)境常面臨高溫,低溫,高電磁干擾等惡劣條件,對傳感器的環(huán)境適應(yīng)性提出了嚴(yán)峻考驗.Diodes的InSb霍爾元件傳感器通過了嚴(yán)格的環(huán)境可靠性測試,在-40°C至+125°C溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定,且具備IP65級防水防塵能力.在鋼鐵冶煉車間,環(huán)境溫度高達(dá)80°C,且存在強(qiáng)電磁干擾,該傳感器可穩(wěn)定檢測傳送帶電機(jī)的轉(zhuǎn)速,確保傳送帶勻速運(yùn)行;在化工生產(chǎn)中的低溫儲罐區(qū)(溫度低至-30°C),傳感器可精準(zhǔn)檢測閥門的開關(guān)狀態(tài),避免因低溫導(dǎo)致的檢測失效,保障生產(chǎn)安全.

溫度適應(yīng)性:寬溫域下的穩(wěn)定表現(xiàn)

溫度變化會顯著影響霍爾傳感器的性能,主要體現(xiàn)在霍爾電壓漂移與補(bǔ)償電壓變化.Diodes的InSb霍爾元件傳感器通過材料優(yōu)化與電路設(shè)計,實現(xiàn)了寬溫域下的穩(wěn)定表現(xiàn),滿足不同應(yīng)用場景的溫度需求.

1.AHE300傳感器的溫度適應(yīng)范圍,AHE300傳感器采用了溫度補(bǔ)償電路設(shè)計,通過內(nèi)置的熱敏電阻實時檢測環(huán)境溫度,并對霍爾電壓進(jìn)行動態(tài)校準(zhǔn),有效抑制了溫度漂移.該傳感器可在-40°C至+110°C的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,溫度系數(shù)僅為±0.05%/°C,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)傳感器的±0.1%/°C.

這一溫度范圍覆蓋了大多數(shù)常規(guī)工業(yè)與消費(fèi)應(yīng)用場景的溫度變化區(qū)間:在寒冷的北方冬季,戶外設(shè)備(如智能家居的戶外攝像頭)工作溫度可能低至-30°C,AHE300傳感器可穩(wěn)定檢測攝像頭的旋轉(zhuǎn)角度,確保監(jiān)控范圍準(zhǔn)確;在消費(fèi)電子的筆記本電腦內(nèi)部,CPU附近溫度可升至90°C,傳感器仍能精準(zhǔn)控制散熱風(fēng)扇轉(zhuǎn)速,避免設(shè)備過熱.在汽車電子領(lǐng)域,AHE300傳感器也展現(xiàn)出了良好的適配性.汽車發(fā)動機(jī)艙內(nèi)的溫度變化劇烈,正常工作時溫度可達(dá)105°C,啟動時溫度從-30°C快速升至80°C.采用該傳感器檢測發(fā)動機(jī)冷卻風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速,可在溫度劇烈變化的環(huán)境下保持檢測精度,確保冷卻風(fēng)扇按需運(yùn)行,避免發(fā)動機(jī)過熱或過度冷卻,提升發(fā)動機(jī)效率與可靠性.某汽車零部件供應(yīng)商測試顯示,AHE300傳感器在發(fā)動機(jī)艙內(nèi)連續(xù)工作1000小時,檢測誤差無明顯變化,穩(wěn)定性優(yōu)于行業(yè)平均水平.

2.AHE10x器件的寬溫優(yōu)勢,AHE10x器件在AHE300的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步優(yōu)化了材料與封裝工藝,使其具備更寬廣的溫度適應(yīng)范圍,可在-40°C至+125°C的溫度區(qū)間內(nèi)工作,且在全溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定.材料層面:AHE10x采用了高純度的InSb單晶材料,減少了材料內(nèi)部的雜質(zhì)原子,降低了溫度變化對電子遷移率的影響;同時,通過特殊的退火工藝,消除了材料內(nèi)部的應(yīng)力,提升了溫度穩(wěn)定性.封裝層面:該器件采用了陶瓷-金屬復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),陶瓷材料具有優(yōu)異的耐高溫性能與絕緣性,金屬外殼則提供了良好的散熱與抗機(jī)械沖擊能力,可在高溫環(huán)境下有效保護(hù)內(nèi)部芯片.這一寬溫優(yōu)勢使得AHE10x器件在極端惡劣的熱環(huán)境中依然能夠保持足夠的穩(wěn)固耐用性:在工業(yè)高溫爐應(yīng)用中,爐體附近溫度可達(dá)120°C,傳感器可精準(zhǔn)檢測爐門的開關(guān)狀態(tài),確保生產(chǎn)安全;在戶外高溫暴曬環(huán)境下(如太陽能光伏逆變器,工作溫度可達(dá)115°C),傳感器可穩(wěn)定檢測逆變器內(nèi)部風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速,保障逆變器正常運(yùn)行;在低溫環(huán)境中,如極地科考設(shè)備(工作溫度低至-40°C),AHE10x器件可正常檢測設(shè)備的機(jī)械部件位置,確?？瓶既蝿?wù)順利進(jìn)行.

賦能精準(zhǔn)檢測Diodes先進(jìn)InSb霍爾元件傳感器的技術(shù)革新

KK3270049	百利通有源晶振	KK	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX5427001Z	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	27 MHz	HCSL	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
UX34F6203Z	百利通有源晶振	UX	XO (Standard)	156.25 MHz	HCSL	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 105°C
FK2500025	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	25 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
UJWIFI026	百利通有源晶振	UJ	XO (Standard)	26 MHz	Clipped Sine Wave	1.8V	±20ppm	-30°C ~ 85°C
FNEPON125	百利通有源晶振	ASSP XO	XO (Standard)	125 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
HX3150003Q	百利通有源晶振	HX	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 125°C
HX21A0001Z	百利通有源晶振	HX	XO (Standard)	100 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	±25ppm	-40°C ~ 105°C
UX54F62001	百利通有源晶振	UX	XO (Standard)	156.25 MHz	HCSL	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FK2500065Z	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	1.8V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK5000056Q	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	1.8V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
KK3270021	百利通有源晶振	KK	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	3.3V	-	-20°C ~ 70°C
KD3270037	百利通有源晶振	KD	XO (Standard)	32.768 kHz	LVCMOS, LVTTL	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
KJ3270001	百利通有源晶振	KJ	XO (Standard)	32.768 kHz	LVCMOS	1.8V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX3241E0100.000000	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	100 MHz	HCSL	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX33A0010Q	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	100 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
SQA000001	百利通有源晶振	SQ	XO (Standard)	100 MHz	HCSL	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX76F6201Q	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	156.25 MHz	CML	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1220016Z	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	12.288 MHz	LVCMOS	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FK2500101	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	-	-	-	-	-
FK2500022	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	25 MHz	LVCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FK4800016	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	48 MHz	CMOS	3.3V	-	-40°C ~ 85°C
FJ2400012	百利通有源晶振	FJ	XO (Standard)	24 MHz	CMOS	3.3V	-	-40°C ~ 85°C
HX2127002Z	百利通有源晶振	HX	XO (Standard)	27 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 105°C
HX2125014Z	百利通有源晶振	HX	XO (Standard)	25 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 105°C
KK3270046	百利通有源晶振	KK	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK5000019	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX33B8801Z	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	118.8 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
SKF620002	百利通有源晶振	SK	XO (Standard)	156.25 MHz	HCSL	3.3V	-	-40°C ~ 85°C
SKF620001	百利通有源晶振	SK	XO (Standard)	156.25 MHz	HCSL	3.3V	-	-40°C ~ 85°C
NX34B8801Z	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	118.8 MHz	HCSL	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX33B5201Z	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	115.2 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
HX7011C0025.000000	百利通有源晶振	HX	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 105°C
PBF620034J	百利通有源晶振	PB	XO (Standard)	-	-	-	-	-
LDA000004	百利通有源晶振	LD	XO (Standard)	100 MHz	LVDS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FK2500096	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	2.5V	-	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	13.3333 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FKSSD1025	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FJ2400002	百利通有源晶振	FJ	XO (Standard)	24 MHz	LVCMOS	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FK5000023	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	3.3V	-	-40°C ~ 85°C
FJ2500009	百利通有源晶振	FJ	XO (Standard)	25 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400011	百利通有源晶振	FJ	XO (Standard)	24 MHz	LVCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FK2500094Q	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK0800019Q	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	8 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FN5000121	百利通有源晶振	FN	XO (Standard)	50 MHz	LVCMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FN1000064	百利通有源晶振	FN	XO (Standard)	10 MHz	HCMOS	5V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FJ5000006	百利通有源晶振	FJ	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	3.3V	-	-40°C ~ 85°C
FK5000055Q	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
KK3270052	百利通有源晶振	KK	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	1.8V	±25ppm	-20°C ~ 70°C
HX2127002Q	百利通有源晶振	HX	XO (Standard)	27 MHz	CMOS	3.3V	-	-40°C ~ 105°C
KD3270031	百利通有源晶振	KD	XO (Standard)	32.768 kHz	LVCMOS, LVTTL	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FKA000018Z	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	100 MHz	LVCMOS	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FKA000022Q	百利通有源晶振	FK	XO (Standard)	100 MHz	CMOS	1.8V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX33C5013Z	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	125 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
LD5000004	百利通有源晶振	LD	XO (Standard)	50 MHz	LVDS	3.3V	-	-40°C ~ 85°C
PX5000010	百利通有源晶振	PX	XO (Standard)	50 MHz	LVDS	3.3V	-	-40°C ~ 85°C
NX33G1101Z	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	161.1328125 MHz	LVDS	3.3V	±20ppm	-40°C ~ 85°C
NX33C5008Q	百利通有源晶振	NX	XO (Standard)	125 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
SQPCIE100	百利通有源晶振	SQ	XO (Standard)	100 MHz	HCSL	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SNSAS2150	百利通有源晶振	SN	XO (Standard)	150 MHz	PECL	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C

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